DMN3015LSD-13 от 205 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 80А; 1Вт; SO8, Diodes Incorporated

DMN3015LSD-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1415pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15 mOhm @ 12A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1415pF @ 15V