DMN2990UFO-7B от 128 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604, Diodes Incorporated

DMN2990UFO-7B характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-XFDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	X2-DFN0604-3
Рассеивание мощности (Макс)	840mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.41nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	31pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	3-XFDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	X2-DFN0604-3
Рассеивание мощности (Макс)	840mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.41nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	31pF @ 15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	±8V