DMN2990UDJQ-7 от 130 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 350мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SOT963, Diodes Incorporated

DMN2990UDJQ-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-963
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-963
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Ток стока (Id) @ 25°C	450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	27.6pF @ 16V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-963
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-963
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Ток стока (Id) @ 25°C	450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	27.6pF @ 16V