Failed to connect to MySQLi: (2002) Connection refused DMN2014LHAB-7 от 30.3 руб, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN, Diodes Incorporated
+7 (495) 133-39-03 | info@zener.ru
+7 (495) 133-39-03
корзина
Нет товаров
Электронные компоненты оптом и в розницу
корзина
Нет товаров
Каталог товаров
Назад
Все категории
Назад

DMN2014LHAB-7

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN


DMN2014LHAB-7 характеристики
Производитель Diodes Incorporated
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-UFDFN Exposed Pad
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 800mW
Исполнение корпуса U-DFN2030-6 (Type B)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 10V

Характеристики
Производитель Diodes Incorporated
Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 6-UFDFN Exposed Pad
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 800mW
Исполнение корпуса U-DFN2030-6 (Type B)
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 10V

DMN2014LHAB-7

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на DMN2014LHAB-7. Транзисторы — полевые — массивы производства Diodes Incorporated доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы DMN2014LHAB-7 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.


Похожие товары
ALD1101ASAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
7 шт.
от 1103 ₽
+ 165450 баллов
Подробнее
ALD1101PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
78 шт.
от 902 ₽
+ 270600 баллов
Подробнее
ALD1102PAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 902 ₽
+ 270600 баллов
Подробнее
ALD1102SAL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
19 шт.
от 679 ₽
+ 203700 баллов
Подробнее
ALD1103PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
329 шт.
от 1000 ₽
+ 300000 баллов
Подробнее
ALD1103SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
83 шт.
от 900 ₽
+ 270000 баллов
Подробнее
ALD1105PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
235 шт.
от 638 ₽
+ 95700 баллов
Подробнее
ALD1105SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 598 ₽
+ 179400 баллов
Подробнее
ALD1106PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
458 шт.
от 638 ₽
+ 95700 баллов
Подробнее
ALD1106SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
1331 шт.
от 601 ₽
+ 180300 баллов
Подробнее
ALD1107PBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
291 шт.
от 638 ₽
+ 95700 баллов
Подробнее
ALD1107SBL
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
8 шт.
от 601 ₽
+ 180300 баллов
Подробнее
Смотреть все
Выберите ваш город