DMN2013UFX-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-VFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	780mW
Исполнение корпуса	W-DFN5020-6
Base Part Number	DMN2013
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57.4nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2607pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-VFDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	780mW
Исполнение корпуса	W-DFN5020-6
Base Part Number	DMN2013
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57.4nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2607pF @ 10V

DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7 характеристики