DMN1019USN-7 от 106 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59, Diodes Incorporated

DMN1019USN-7 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SC-59
Рассеивание мощности (Макс)	680mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50.6nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2426pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 2.5V
Vgs (Max)	±8V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	SC-59
Рассеивание мощности (Макс)	680mW (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	12V
Ток стока (Id) @ 25°C	9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50.6nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2426pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 2.5V
Vgs (Max)	±8V