Каталог товаров
Назад

DMN1019USN-7

  • Описание
    MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
95
цена с НДС
  • 1 шт
    95 ₽
  • 10 шт
    64 ₽
  • 100 шт
    38 ₽
  • 500 шт
    31 ₽
  • 1000 шт
    28.5 ₽
  • 3000 шт
    22.5 ₽
  • 6000 шт
    21.7 ₽
  • 9000 шт
    19.4 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 95
При покупке кэшбэк 14 баллов


DMN1019USN-7 характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса SC-59
Рассеивание мощности (Макс) 680mW (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 12V
Ток стока (Id) @ 25°C 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50.6nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2426pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 2.5V
Vgs (Max) ±8V
  • Производитель
    Diodes Incorporated

Характеристики

Серия -
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса SC-59
Рассеивание мощности (Макс) 680mW (Ta)
Тип полевого транзистора N-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 12V
Ток стока (Id) @ 25°C 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50.6nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2426pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 2.5V
Vgs (Max) ±8V

DMN1019USN-7

  • Описание
    MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Diodes Incorporated

Бесплатная доставка DMN1019USN-7 по России

Транзисторы — полевые — одиночные DMN1019USN-7 Diodes Incorporated доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить DMN1019USN-7 с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Похожие товары
AO3160
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,03А; 0,89Вт; SOT23A-3
277 шт - 4-6 недель
от 28.7 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 22
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
12275 шт - 4-6 недель
от 99 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 15
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,7А; 1,4Вт; SOT23
28060 шт - 4-6 недель
от 16.2 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 24
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4А; 1,4Вт; SOT23
5 шт - в наличии
3051 шт - 4-6 недель
от 60 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 9
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,2А; 0,9Вт; SOT23
3097 шт - 4-6 недель
от 48 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 22
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT23
3008 шт - 4-6 недель
от 28.7 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 22
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,9А; 1,4Вт; SOT23
2606 шт - 4-6 недель
от 105 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 16
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
2770 шт - 4-6 недель
от 29 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 22
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; 1,4Вт; SOT23
17743 шт - 4-6 недель
от 28.7 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 22
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
243 шт - 4-6 недель
от 31 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 900мВт; SOT23
400 шт - 4-6 недель
от 36 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,5А; 900мВт; SOT23
2682 шт - 4-6 недель
от 36 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 5