DMGD7N45SSD-13 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.64W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	450V
Ток стока (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	256pF @ 25V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	Automotive, AEC-Q101
Part Status	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.64W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	450V
Ток стока (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	256pF @ 25V

DMGD7N45SSD-13

DMGD7N45SSD-13 характеристики