DMG6602SVT-7 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	840mW
Исполнение корпуса	TSOT-23-6
Base Part Number	DMG6602
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	840mW
Исполнение корпуса	TSOT-23-6
Base Part Number	DMG6602
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 15V

DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7 характеристики