Каталог товаров
Назад

DMC62D0SVQ-7

  • Описание
    MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R


DMC62D0SVQ-7 характеристики

Производитель Diodes Incorporated
Серия Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-563, SOT-666
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 510mW (Ta)
Исполнение корпуса SOT-563
Тип полевого транзистора N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V, 50V
Ток стока (Id) @ 25°C 571mA (Ta), 304mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 Ohm @ 500mA, 10V, 6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V, 26pF @ 25V

Характеристики

Производитель Diodes Incorporated
Серия Automotive, AEC-Q101
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус SOT-563, SOT-666
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 510mW (Ta)
Исполнение корпуса SOT-563
Тип полевого транзистора N and P-Channel Complementary
Особенности полевого транзистора Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 60V, 50V
Ток стока (Id) @ 25°C 571mA (Ta), 304mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7 Ohm @ 500mA, 10V, 6 Ohm @ 500mA, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V, 26pF @ 25V

DMC62D0SVQ-7

  • Описание
    MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
DMC62D0SVQ-7
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на DMC62D0SVQ-7. Транзисторы — полевые — массивы производства Diodes Incorporated доступны для заказа в нашей компании.

Транзисторы — полевые — массивы DMC62D0SVQ-7 купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.

Недавно просмотренные


Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
22 шт.
от 1079 ₽
+ 161850 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
82 шт.
от 883 ₽
+ 264900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
50 шт.
50 шт.
от 883 ₽
+ 264900 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
50 шт.
29 шт.
от 664 ₽
+ 199200 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
329 шт.
от 978 ₽
+ 293400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
99 шт.
от 880 ₽
+ 264000 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
235 шт.
от 651 ₽
+ 195300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
43 шт.
от 585 ₽
+ 175500 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
520 шт.
от 651 ₽
+ 195300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
3057 шт.
от 588 ₽
+ 176400 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
50 шт.
243 шт.
от 651 ₽
+ 195300 баллов
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
50 шт.
18 шт.
от 588 ₽
+ 176400 баллов