DMC4029SSDQ-13 от 77 руб, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO, Diodes Incorporated

DMC4029SSDQ-13 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.3W
Исполнение корпуса	8-SOIC
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A, 5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.3W
Исполнение корпуса	8-SOIC
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	40V
Ток стока (Id) @ 25°C	7A, 5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 20V