DMC3032LSD-13 от 146 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В, Diodes Incorporated

DMC3032LSD-13 характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.5W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8.1A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	404.5pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	2.5W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	8.1A, 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 7A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	404.5pF @ 15V