DMC3028LSDXQ-13 характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.5A, 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	641pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Diodes Incorporated
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.2W
Исполнение корпуса	8-SO
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	5.5A, 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	641pF @ 15V

DMC3028LSDXQ-13

DMC3028LSDXQ-13 характеристики