DKI10299 характеристики	Выбрать все
Производитель	Sanken
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252
Рассеивание мощности (Макс)	47W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 14.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 650µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2540pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Sanken
Серия	-
Part Status	Discontinued at Digi-Key
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-252
Рассеивание мощности (Макс)	47W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 14.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 650µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2540pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

DKI10299

DKI10299 характеристики