DG9409EDN-T1-GE4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (4x4)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	4:1
Переключающая схема	-
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	7 Ohm
Напряжение питания (V+)	2.7 V ~ 12 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±3 V ~ 6 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	3.6 Ohm (Max)
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	70ns, 44ns
Инжекция заряда	29pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	23pF, 112pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	2nA
Перекрёстные помехи	-85dB @ 100kHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (4x4)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	4:1
Переключающая схема	-
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	7 Ohm
Напряжение питания (V+)	2.7 V ~ 12 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±3 V ~ 6 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	3.6 Ohm (Max)
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	70ns, 44ns
Инжекция заряда	29pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	23pF, 112pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	2nA
Перекрёстные помехи	-85dB @ 100kHz

DG9409EDN-T1-GE4

DG9409EDN-T1-GE4 характеристики