DG9232EDQ-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NC
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	25 Ohm
Напряжение питания (V+)	2.7 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	400 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	75ns, 50ns
Инжекция заряда	-0.78pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	3.8pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100pA
Перекрёстные помехи	-108dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NC
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	25 Ohm
Напряжение питания (V+)	2.7 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	400 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	75ns, 50ns
Инжекция заряда	-0.78pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	3.8pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100pA
Перекрёстные помехи	-108dB @ 1MHz

DG9232EDQ-T1-GE3

DG9232EDQ-T1-GE3 характеристики