DG613EEN-T1-GE4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-UFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-miniQFN (1.8x2.6)
Количество схем	4
Полоса пропускания -3 дБ	1GHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO/NC
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	115 Ohm
Напряжение питания (V+)	3 V ~ 12 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±3 V ~ 5 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	2.5 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	50ns, 35ns
Инжекция заряда	1.4pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	3pF, 3pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100pA
Перекрёстные помехи	-74dB @ 10MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-UFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-miniQFN (1.8x2.6)
Количество схем	4
Полоса пропускания -3 дБ	1GHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO/NC
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	115 Ohm
Напряжение питания (V+)	3 V ~ 12 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±3 V ~ 5 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	2.5 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	50ns, 35ns
Инжекция заряда	1.4pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	3pF, 3pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100pA
Перекрёстные помехи	-74dB @ 10MHz

DG613EEN-T1-GE4

DG613EEN-T1-GE4 характеристики