DG506BEW-T1-GE3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	28-SOIC
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	114MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	16:1
Переключающая схема	-
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	300 Ohm
Напряжение питания (V+)	12V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±5 V ~ 20 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	10 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	250ns, 200ns
Инжекция заряда	1pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	3pF, 13pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-85dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	28-SOIC
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	114MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	16:1
Переключающая схема	-
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	300 Ohm
Напряжение питания (V+)	12V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±5 V ~ 20 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	10 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	250ns, 200ns
Инжекция заряда	1pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	3pF, 13pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-85dB @ 1MHz

DG506BEW-T1-GE3

DG506BEW-T1-GE3 характеристики