DG417LEDY-T1-GE4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Исполнение корпуса	8-SOIC
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	9 Ohm
Напряжение питания (V+)	3 V ~ 16 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±3 V ~ 8 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	40ns, 35ns
Инжекция заряда	26pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	11pF, 32pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	10nA
Перекрёстные помехи	-72dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Исполнение корпуса	8-SOIC
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	9 Ohm
Напряжение питания (V+)	3 V ~ 16 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±3 V ~ 8 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	-
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	40ns, 35ns
Инжекция заряда	26pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	11pF, 32pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	10nA
Перекрёстные помехи	-72dB @ 1MHz

DG417LEDY-T1-GE4

DG417LEDY-T1-GE4 характеристики