DG2788ADN-T1-GE4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-UFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-miniQFN (1.8x2.6)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	338MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	500 mOhm
Напряжение питания (V+)	1.8 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	50 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	50µs, 1µs
Инжекция заряда	-245pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	-
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-61dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-UFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-miniQFN (1.8x2.6)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	338MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	500 mOhm
Напряжение питания (V+)	1.8 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	50 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	50µs, 1µs
Инжекция заряда	-245pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	-
Ток утечки (IS(off)) (Max)	100nA
Перекрёстные помехи	-61dB @ 1MHz

DG2788ADN-T1-GE4

DG2788ADN-T1-GE4 характеристики