DG2750DN-T1-E4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	10-UFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	10-miniQFN (1.4x1.8)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	49MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.8 V ~ 5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	100 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	2.1µs, 130ns
Инжекция заряда	4pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	36pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	50nA (Typ)
Перекрёстные помехи	-60dB @ 300kHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	10-UFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	10-miniQFN (1.4x1.8)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	49MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	1 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.8 V ~ 5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	100 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	2.1µs, 130ns
Инжекция заряда	4pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	36pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	50nA (Typ)
Перекрёстные помехи	-60dB @ 300kHz

DG2750DN-T1-E4

DG2750DN-T1-E4 характеристики