DG2735ADN-T1-GE4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	10-UFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	10-miniQFN (1.4x1.8)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	50MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	500 mOhm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.3 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	60 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	78ns, 58ns
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	55pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	2nA
Перекрёстные помехи	-70dB @ 100kHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	10-UFQFN
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	10-miniQFN (1.4x1.8)
Количество схем	2
Полоса пропускания -3 дБ	50MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:1
Переключающая схема	SPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	500 mOhm
Напряжение питания (V+)	1.65 V ~ 4.3 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	60 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	78ns, 58ns
Инжекция заряда	-
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	55pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	2nA
Перекрёстные помехи	-70dB @ 100kHz

DG2735ADN-T1-GE4

DG2735ADN-T1-GE4 характеристики