DG212BDY-E3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-SOIC
Количество схем	4
Base Part Number	DG212
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	85 Ohm
Напряжение питания (V+)	4.5 V ~ 25 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±4.5 V ~ 22 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	2 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	300ns, 200ns
Инжекция заряда	1pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	5pF, 5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	500pA
Перекрёстные помехи	-95dB @ 100kHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Корпус	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-SOIC
Количество схем	4
Base Part Number	DG212
Полоса пропускания -3 дБ	-
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	1:1
Переключающая схема	SPST - NO
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	85 Ohm
Напряжение питания (V+)	4.5 V ~ 25 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±4.5 V ~ 22 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	2 Ohm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	300ns, 200ns
Инжекция заряда	1pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	5pF, 5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	500pA
Перекрёстные помехи	-95dB @ 100kHz

DG212BDY-E3

DG212BDY-E3 характеристики