DG2034EDN-T1-GE4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	12-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	12-QFN (3x3)
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	166MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	4:1
Переключающая схема	SP4T
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	2.5 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.8 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	20 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	25ns, 20ns
Инжекция заряда	-2.6pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	7pF, -
Ток утечки (IS(off)) (Max)	2nA
Перекрёстные помехи	-71dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	12-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	12-QFN (3x3)
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	166MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	4:1
Переключающая схема	SP4T
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	2.5 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.8 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	20 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	25ns, 20ns
Инжекция заряда	-2.6pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	7pF, -
Ток утечки (IS(off)) (Max)	2nA
Перекрёстные помехи	-71dB @ 1MHz

DG2034EDN-T1-GE4

DG2034EDN-T1-GE4 характеристики