DG2018DN-T1-E4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	16-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (3x3)
Количество схем	2
Base Part Number	DG2018
Полоса пропускания -3 дБ	180MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:2
Переключающая схема	DPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	8 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.8 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	600 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	48ns, 33ns
Инжекция заряда	-2.46pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	7.5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-72dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Obsolete
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Корпус	16-VFQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (3x3)
Количество схем	2
Base Part Number	DG2018
Полоса пропускания -3 дБ	180MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	2:2
Переключающая схема	DPDT
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	8 Ohm
Напряжение питания (V+)	1.8 V ~ 5.5 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	-
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	600 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	48ns, 33ns
Инжекция заряда	-2.46pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	7.5pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	1nA
Перекрёстные помехи	-72dB @ 1MHz

DG2018DN-T1-E4

DG2018DN-T1-E4 характеристики