DG1408EEN-T1-GE4 характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (4x4)
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	46MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	8:1
Переключающая схема	-
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	4.7 Ohm
Напряжение питания (V+)	4.5 V ~ 24 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±4.5 V ~ 16.5 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	200 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	150ns, 120ns
Инжекция заряда	100pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	14pF, 89pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	200pA
Перекрёстные помехи	-64dB @ 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Vishay Siliconix
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Корпус	16-VQFN Exposed Pad
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C (TA)
Исполнение корпуса	16-QFN (4x4)
Количество схем	1
Полоса пропускания -3 дБ	46MHz
Схема Мультиплексора/Демультиплексора	8:1
Переключающая схема	-
"Сопротивление в состоянии ""Включено"" (Макс)"	4.7 Ohm
Напряжение питания (V+)	4.5 V ~ 24 V
Напряжение притания - двухполярное (V±)	±4.5 V ~ 16.5 V
Channel-to-Channel Matching (?Ron)	200 mOhm
Время переключения (Ton, Toff) (Макс)	150ns, 120ns
Инжекция заряда	100pC
Channel Capacitance (CS(off), CD(off))	14pF, 89pF
Ток утечки (IS(off)) (Max)	200pA
Перекрёстные помехи	-64dB @ 1MHz

DG1408EEN-T1-GE4

DG1408EEN-T1-GE4 характеристики