CTLDM8120-M832DS BK Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET DUAL N-CHANNEL, Central Semiconductor Corp

CTLDM8120-M832DS BK характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.65W
Исполнение корпуса	TLM832DS
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.56nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 16V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.65W
Исполнение корпуса	TLM832DS
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 950mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.56nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	200pF @ 16V