CTLDM7120-M621H TR характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-XFDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TLM621H
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-XFDFN Exposed Pad
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TLM621H
Рассеивание мощности (Макс)	1.6W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (Max)	8V

CTLDM7120-M621H TR

CTLDM7120-M621H TR характеристики