CTLDM304P-M832DS TR Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS, Central Semiconductor Corp

CTLDM304P-M832DS TR характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.65W
Исполнение корпуса	TLM832DS
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 4.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-TDFN Exposed Pad
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	1.65W
Исполнение корпуса	TLM832DS
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V
Ток стока (Id) @ 25°C	4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 4.2A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 15V