CSD86330Q3D характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	NexFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerLDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	6W
Исполнение корпуса	8-LSON (3.3x3.3)
Base Part Number	CSD86330
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.6 mOhm @ 14A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 12.5V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	NexFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerLDFN
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	6W
Исполнение корпуса	8-LSON (3.3x3.3)
Base Part Number	CSD86330
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.6 mOhm @ 14A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 12.5V

CSD86330Q3D

CSD86330Q3D характеристики