Каталог товаров
Назад

CSD86330Q3D

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
466
цена с НДС
  • 1 шт
    466 ₽
  • 10 шт
    309 ₽
  • 100 шт
    225 ₽
  • 500 шт
    189 ₽
  • 1000 шт
    176 ₽
  • 2500 шт
    176 ₽
Добавить в корзину 1 шт на сумму 466
При покупке кэшбэк 69 баллов
  • Бесплатная доставка по России
    Бесплатная доставка без минимальной суммы заказа!
    Доставим в любой пункт выдачи СДЭК или курьером до вашего адреса по всей России.

CSD86330Q3D характеристики

Серия NexFET™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerLDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 6W
Исполнение корпуса 8-LSON (3.3x3.3)
Base Part Number CSD86330
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 25V
Ток стока (Id) @ 25°C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6 mOhm @ 14A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 12.5V
  • Производитель
    Texas Instruments

Характеристики

Серия NexFET™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 8-PowerLDFN
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности 6W
Исполнение корпуса 8-LSON (3.3x3.3)
Base Part Number CSD86330
Тип полевого транзистора 2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 25V
Ток стока (Id) @ 25°C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6 mOhm @ 14A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 12.5V

CSD86330Q3D

  • Описание
    MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
* Изображение предназначено только для ознакомления, смотрите описание и техническую документацию


  • Производитель
    Texas Instruments

Бесплатно доставим CSD86330Q3D в пункт выдачи или курьером по вашему адресу

Транзисторы — полевые — массивы CSD86330Q3D Texas Instruments доступны для заказа в нашем интернет магазине. Вы можете купить CSD86330Q3D с бесплатной доставкой по всей России банковской картой онлайн или запросить счет для оплаты по безналичному расчету юридическим лицом. Счет на оплату пришлём на вашу электронную почту указанную при оформлении заказа.


Сопутствующие товары
Chemtronics
SOLDER-WICK ROSIN .110" 5'
981 шт - 4-6 недель
от 1215 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 182
Texas Instruments
IC REG BUCK ADJ 6A SYNC 14VQFN
1337 шт - 4-6 недель
от 1178 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 177
Texas Instruments
PMIC; преобразователь DC/DC; Uвх: 1,6÷17ВDC; Uвых: 0,8÷15ВDC; 6А
1120 шт - 4-6 недель
от 997 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 150
Texas Instruments
IC: цифровая; AND; Ch: 4; IN: 2; SMD; SO14; 2÷6ВDC; -40÷85°C; HC
12136 шт - 4-6 недель
от 159 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 24

Похожие товары
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
25 шт - 4-6 недель
от 1910 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 287
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1716 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 257
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
40 шт - 4-6 недель
от 1716 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 257
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
43 шт - 4-6 недель
от 1388 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 208
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
45 шт - 4-6 недель
от 1845 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 277
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP
177 шт - 4-6 недель
от 1334 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 200
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
40 шт - 4-6 недель
от 1341 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 201
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP
143 шт - 4-6 недель
от 1334 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 200
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
3011 шт - 4-6 недель
от 1341 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 201
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP
107 шт - 4-6 недель
от 1334 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 200
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC
31 шт - 4-6 недель
от 1243 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 186
Advanced Linear Devices Inc.
MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
20 шт - 4-6 недель
от 1915 ₽
Кэшбэк Кэшбэк + 287