CSD75205W1015 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA, Texas Instruments

CSD75205W1015 характеристики	Выбрать все
Серия	NexFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UFBGA, DSBGA
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	750mW
Исполнение корпуса	6-DSBGA (1x1.5)
Base Part Number	CSD75205
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	265pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	NexFET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-UFBGA, DSBGA
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	750mW
Исполнение корпуса	6-DSBGA (1x1.5)
Base Part Number	CSD75205
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	1.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 1A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	265pF @ 10V