Электронные компоненты
Работаем с частными и юридическими лицами
Каталог товаров
Назад

CSD25483F4T

Характеристики

Производитель Texas Instruments
Серия FemtoFET™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 3-XFDFN
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 3-PICOSTAR
Base Part Number CSD25483
Рассеивание мощности (Макс) 500mW (Ta)
Тип полевого транзистора P-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205 mOhm @ 500mA, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.96nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 198pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (Max) -12V

Характеристики

Производитель Texas Instruments
Серия FemtoFET™
Part Status Active
Упаковка Cut Tape (CT)
Вид монтажа Surface Mount
Корпус 3-XFDFN
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса 3-PICOSTAR
Base Part Number CSD25483
Рассеивание мощности (Макс) 500mW (Ta)
Тип полевого транзистора P-Channel
Особенности полевого транзистора -
Напряжение сток-исток ( (Vdss) 20V
Ток стока (Id) @ 25°C 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 205 mOhm @ 500mA, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.96nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 198pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Vgs (Max) -12V

Гарантия на продукцию

Даем год гарантии на CSD25483F4T. Transistors - FETs, MOSFETs - Single производства Texas Instruments доступны для заказа в нашей компании.

Transistors - FETs, MOSFETs - Single CSD25483F4T купить Вы можете в Зенер Электроникс с доставкой по всей России и в страны Таможенного союза.