CSD25402Q3A от 228 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, MOSFET P-CH 20V 76A 8SON, Texas Instruments

CSD25402Q3A характеристики	Выбрать все
Серия	NexFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-VSON (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 69W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 10A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1790pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V

Характеристики	Выбрать все
Серия	NexFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-VSON (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 69W (Tc)
Тип полевого транзистора	P-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 10A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1790pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Vgs (Max)	±12V