CSD18540Q5BT характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	NexFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-VSON-CLIP (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 195W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 28A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4230pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	NexFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-VSON-CLIP (5x6)
Рассеивание мощности (Макс)	3.1W (Ta), 195W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	60V
Ток стока (Id) @ 25°C	100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 28A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4230pF @ 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±20V

CSD18540Q5BT

CSD18540Q5BT характеристики