CSD16411Q3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	NexFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-VSON (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	2.7W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 12.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	+16V, -12V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	NexFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerVDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-VSON (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	2.7W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	14A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 10A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	570pF @ 12.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	+16V, -12V

CSD16411Q3

CSD16411Q3 характеристики