CSD16323Q3 характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	NexFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	3W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 24A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 12.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V
Vgs (Max)	+10V, -8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Texas Instruments
Серия	NexFET™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-PowerTDFN
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Рассеивание мощности (Макс)	3W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	25V
Ток стока (Id) @ 25°C	21A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 24A, 8V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 12.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V
Vgs (Max)	+10V, -8V

CSD16323Q3

CSD16323Q3 характеристики