CPMF-1200-S080B характеристики	Выбрать все
Производитель	Cree/Wolfspeed
Серия	Z-FET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	Die
Рассеивание мощности (Макс)	313mW (Tj)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 20A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90.8nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1915pF @ 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (Max)	+25V, -5V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Cree/Wolfspeed
Серия	Z-FET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	Die
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	Die
Рассеивание мощности (Макс)	313mW (Tj)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V
Ток стока (Id) @ 25°C	50A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 20A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90.8nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1915pF @ 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (Max)	+25V, -5V

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B характеристики