CPH6635-TL-H от 41.5 ₽, Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6, ON Semiconductor

CPH6635-TL-H характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	800mW
Исполнение корпуса	6-CPH
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V, 20V
Ток стока (Id) @ 25°C	400mA, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 Ohm @ 80mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7pF @ 10V

Характеристики	Выбрать все
Серия	-
Part Status	Last Time Buy
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура	150°C (TJ)
Рассеивание мощности	800mW
Исполнение корпуса	6-CPH
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	30V, 20V
Ток стока (Id) @ 25°C	400mA, 1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7 Ohm @ 80mA, 4V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7pF @ 10V