CPC5603CTR характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS Integrated Circuits Division
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Depletion Mode
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	415V
Ток стока (Id) @ 25°C	5mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm @ 50mA, 350mV
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-0.35V
Vgs (Max)	±20V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS Integrated Circuits Division
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Depletion Mode
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	415V
Ток стока (Id) @ 25°C	5mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 Ohm @ 50mA, 350mV
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-0.35V
Vgs (Max)	±20V

CPC5603CTR

CPC5603CTR характеристики