CPC3960ZTR характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS Integrated Circuits Division
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	1.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Depletion Mode
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 Ohm @ 100mA, 0V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Vgs (Max)	±15V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	IXYS Integrated Circuits Division
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-261-4, TO-261AA
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C (TJ)
Исполнение корпуса	SOT-223
Рассеивание мощности (Макс)	1.8W (Ta)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	Depletion Mode
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	600V
Ток стока (Id) @ 25°C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 Ohm @ 100mA, 0V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V
Vgs (Max)	±15V

CPC3960ZTR

CPC3960ZTR характеристики