CMPFJ176 TR характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	350mW
Исполнение корпуса	SOT-23
Тип полевого транзистора	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	30V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	2mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	1V @ 10nA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	250 Ohms

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	350mW
Исполнение корпуса	SOT-23
Тип полевого транзистора	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)	30V
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	2mA @ 15V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	1V @ 10nA
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)	250 Ohms

CMPFJ176 TR

CMPFJ176 TR характеристики