CMKDM8005 TR характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	350mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	650mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 350mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 16V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Central Semiconductor Corp
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C (TJ)
Рассеивание мощности	350mW
Исполнение корпуса	SOT-363
Тип полевого транзистора	2 P-Channel (Dual)
Особенности полевого транзистора	Logic Level Gate
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	20V
Ток стока (Id) @ 25°C	650mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 350mA, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 16V

CMKDM8005 TR

CMKDM8005 TR характеристики