CCS15S30,L3F характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	0603 (1608 Metric)
Исполнение корпуса	CST2C
Тип диода	Schottky
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	1.5A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	400mV @ 1A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	500µA @ 30V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	20V
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	125°C (Max)
Емкость @ Vr, F	200pF @ 0V, 1MHz

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
Серия	-
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	0603 (1608 Metric)
Исполнение корпуса	CST2C
Тип диода	Schottky
Cреднее значение выпрямленного тока (Io)	1.5A
Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If	400mV @ 1A
Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)	500µA @ 30V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	20V
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рабочая температура pn-прехода	125°C (Max)
Емкость @ Vr, F	200pF @ 0V, 1MHz

CCS15S30,L3F

CCS15S30,L3F характеристики