CAS100H12AM1 Транзисторы — полевые — массивы, MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE, Cree/Wolfspeed

CAS100H12AM1 характеристики	Выбрать все
Серия	Z-FET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	Module
Рабочая температура	-
Рассеивание мощности	568W
Исполнение корпуса	Module
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) @ 25°C	168A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 20A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.1V @ 50mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9500pF @ 800V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Z-FET™
Part Status	Obsolete
Упаковка	Bulk
Вид монтажа	Chassis Mount
Корпус	Module
Рабочая температура	-
Рассеивание мощности	568W
Исполнение корпуса	Module
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Half Bridge)
Особенности полевого транзистора	Standard
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V (1.2kV)
Ток стока (Id) @ 25°C	168A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 20A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.1V @ 50mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9500pF @ 800V