C3M0280090D характеристики	Выбрать все
Производитель	Cree/Wolfspeed
Серия	C3M™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247-3
Рассеивание мощности (Макс)	54W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	900V
Ток стока (Id) @ 25°C	11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 7.5A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Vgs (Max)	+18V, -8V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Cree/Wolfspeed
Серия	C3M™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247-3
Рассеивание мощности (Макс)	54W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	900V
Ток стока (Id) @ 25°C	11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 7.5A, 15V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Vgs (Max)	+18V, -8V

C3M0280090D

C3M0280090D характеристики