C2M0160120D характеристики	Выбрать все
Производитель	Cree/Wolfspeed
Серия	Z-FET™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247-3
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V
Ток стока (Id) @ 25°C	19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	196 mOhm @ 10A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32.6nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	527pF @ 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (Max)	+25V, -10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Cree/Wolfspeed
Серия	Z-FET™
Part Status	Active
Упаковка	Tube
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-3
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247-3
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1200V
Ток стока (Id) @ 25°C	19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	196 mOhm @ 10A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32.6nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	527pF @ 800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (Max)	+25V, -10V

C2M0160120D

C2M0160120D характеристики