C2M0080170P характеристики	Выбрать все
Производитель	Cree/Wolfspeed
Серия	C2M™
Part Status	Active
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-4
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247-4L
Рассеивание мощности (Макс)	277W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1700V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 28A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 1000V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (Max)	+25V, -10V

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Cree/Wolfspeed
Серия	C2M™
Part Status	Active
Вид монтажа	Through Hole
Корпус	TO-247-4
Технология	SiCFET (Silicon Carbide)
Рабочая температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Исполнение корпуса	TO-247-4L
Рассеивание мощности (Макс)	277W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	1700V
Ток стока (Id) @ 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 28A, 20V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	4V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 1000V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Vgs (Max)	+25V, -10V

C2M0080170P

C2M0080170P характеристики