BUK9640-100A,118 от 385 ₽, Транзисторы — полевые — одиночные, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 28А; Idm: 159А; 158Вт, Nexperia USA Inc.

BUK9640-100A,118 характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	158W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3072pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±15V

Характеристики	Выбрать все
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Исполнение корпуса	D2PAK
Рассеивание мощности (Макс)	158W (Tc)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Особенности полевого транзистора	-
Напряжение сток-исток ( (Vdss)	100V
Ток стока (Id) @ 25°C	39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 25A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3072pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (Max)	±15V