BU7233YF-CGE2 характеристики	Выбрать все
Производитель	Rohm Semiconductor
Серия	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип	CMOS
Тип выходного сигнала	Open Drain
Исполнение корпуса	8-SOP
Число элементов	2
Напряжение питания (±)	1.8 V ~ 5.5 V, ±0.9 V ~ 2.75 V
Входное смещение по напряжению (Max)	14mV @ 3V
Входное смещение по току (Макс)	300pA @ 3V
Выходной ток (Номинальный)	7mA @ 3V
Собственный потребляемый ток (Макс)	25µA
Коэффициент ослабления синфазного сигнала (CMRR), Подавление пульсаций питания (PSRR) (Номинальное)	80dB CMRR, 80dB PSRR
Задержка распространения (Макс)	1.8µs (Typ)
Гистерезис	-

Характеристики	Выбрать все
Производитель	Rohm Semiconductor
Серия	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Active
Упаковка	Cut Tape (CT)
Вид монтажа	Surface Mount
Корпус	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип	CMOS
Тип выходного сигнала	Open Drain
Исполнение корпуса	8-SOP
Число элементов	2
Напряжение питания (±)	1.8 V ~ 5.5 V, ±0.9 V ~ 2.75 V
Входное смещение по напряжению (Max)	14mV @ 3V
Входное смещение по току (Макс)	300pA @ 3V
Выходной ток (Номинальный)	7mA @ 3V
Собственный потребляемый ток (Макс)	25µA
Коэффициент ослабления синфазного сигнала (CMRR), Подавление пульсаций питания (PSRR) (Номинальное)	80dB CMRR, 80dB PSRR
Задержка распространения (Макс)	1.8µs (Typ)
Гистерезис	-

BU7233YF-CGE2

BU7233YF-CGE2 характеристики